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A:仅与基本放大器有关
B:仅与反馈网络有关
C:与二者密切相关
D:与二者均无关
在( )三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,输出特性曲线比较平坦,近似为水平的直线。
A:截止区
B:放大区
C:饱和区
温度升高,晶体管的管压降|UBE|( )
A:升高
B:降低
C:不变
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
A:前者反偏、后者也反偏
B:前者正偏、后者反偏
C:前者正偏、后者也正偏
在输入量不变的情况下,若引入反馈后( ),则说明引入的反馈是负反馈。
A:输入电阻增大
B:输出量增大
C:净输入量增大
D:净输入量减小
共模信号是指大小相等,极性( )的信号。
A:相同
B:相反
串联型稳压电路中的放大环节放大的对象是( )。
A:基准电压
B:取样电压
C:基准电压与取样电压之差
杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为( )。
A:N型半导体
B:P型半导体
C:电子型半导体
直流负反馈是指( )
A:直接耦合放大电路中所引入的负反馈
B:只有放大直流信号时才有的负反馈
C:在直流通路中的负反馈
硅二极管的正向压降在0.7基础上增加10%,则它的电流( )
A:增加10%
B:增加10%以上
C:基本不变
D:不变
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用( )滤波电路;为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( )滤波电路 。
A:带阻
B:带通
C:低通
D:有源
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
欲实现Au=-100的放大电路,应选用( );欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( )。
A:反相比例运算电路
B:同相比例运算电路
C:积分运算电路
D:微分运算电路
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )
A:电阻阻值有误差
B:晶体管参数的分散性
C:晶体管参数受温度影响
D:电源电压不稳定
功率放大电路与电流放大电路的区别是( )
A:前者比后者电流放大倍数大
B:前者比后者效率高
C:在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
A:耦合电容和旁路电容的存在
B:半导体管极间电容和分布电容的存在
C:半导体管的非线性特性
D:放大电路的静态工作点不合适
功率放大电路与电压放大电路的区别是( )。
A:前者比后者电源电压高
B:前者比后者电压放大倍数数值大
C:前者比后者效率高
D:在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电 压大
在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有( )。
A:ICM
B:ICBO
C:PCM
关于集成运算放大器,下列说法正确的是( )
A:集成运放是一种高电压放大倍数的直接耦合放大器
B:集成运放只能放大直流信号
C:希望集成运放的输入电阻大，输出电阻小
D:集成运放的CMRR大
要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( )。
A:共源电路
B:共集电路
C:共基电路
D:共射电路
在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。( )
A:对
B:错
在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。( )
A:对
B:错
直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。( )
A:对
B:错
只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )
A:对
B:错
各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。( )
A:对
B:错
运放的输入失调电流是两端电流之差。( )
A:对
B:错
当OCL电路的最大输出功率为1W时,功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。( )
A:对
B:错
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )
A:对
B:错
放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( )
A:对
B:错
运放的输入失调电压是两输入端电位之差。( )
A:对
B:错
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发表于 2020-8-8 18:57:45
