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A:大于0.5
B:等于0.5
C:小于0.5
D:小于0.1
单相半波可控整流电感性负载电路中，在理想的条件下（ ）。
A:电感消耗的能量大于电阻消耗的能量
B:电感消耗的能量小于电阻消耗的能量
C:电感消耗的能量等于电阻消耗的能量
D:电感本身不消耗能量
断态重复峰值电压规定为断态不重复峰值电压的（ ）。
A:30%
B:40%
C:50%
D:90%
普通晶闸管延迟时间为（ ）。
A:0.5-1.5us
B:0.6-1.6us
C:0.7-1.7us
D:0.8-1.8us
电流定额的安全裕量取（ ）倍。
A:1.2-1.5
B:1.5-2.0
C:2.0-2.5
D:2.5-3.0
从门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%所需的时间称为（ ）。
A:上升时间
B:下降时间
C:延迟时间
D:关断时间
三相交-交变频电路是由3组输出电压相位彼此相差（ ）的单相输出交交变频电路组成的。
A:30°
B:60°
C:120°
D:150°
门极可关断晶闸管有（ ）个层。
A:2
B:3
C:4
D:5
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ）。
A:一次击穿
B:二次击穿
C:临界饱和
D:反向截止
在三相桥式不控大电感负载整流电路中，整流输入电流是正、负半波对称脉宽为（ ）的矩形交变电流。
A:60°
B:90°
C:120°
D:180°
电网波形畸变含有高次谐波主要会导致（ ）。
A:发电机、输电变压器发热增加
B:对晶闸管装置、敏感电气设备如通信、计算机系统产生干扰
C:对交流电动机产生脉动转矩
D:影响精密测量仪器精度
关断时间一般指（ ）之和。
A:存储时间
B:下降时间
C:上升时间
D:漂移时间
下列描述中属于电力MOSFET的特点有（ ）。
A:驱动功率小
B:开关速度快
C:工作频率高
D:耐压高
准谐振电路可以分为（ ）。
A:零电压开关准谐振电路
B:零电流开关准谐振电路
C:零电压开关多谐振电路
D:零电流开关多谐振电路
变频电路可分为（ ）。
A:交交变频
B:交直变频
C:交值交变频
D:直交变频
以下描述中，哪几项不是采用多重化电压源型逆变器的目的（ ）。
A:减小输出幅值
B:增大输出幅值
C:减小谐波分量
D:减小输出功率
电力变换的种类是（ ）。
A:交流变直流
B:交流变交流
C:直流变交流
D:直流变直流
按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，可将电力电子器件分为（ ）。
A:双极性器件
B:单极性器件
C:复合型器件
D:双-单极性器件
变换器根据相数可分为（ ）。
A:单相
B:二相
C:三相
D:四相
IGBT具有以下哪三种极性（ ）。
A:门极K
B:栅极G
C:集电极C
D:发射极E
全控型器件及高频化的功能促进了电力电子电路的弱电化。
A:对
B:错
斩波控制型DC-DC变换电路是一种DC到DC的直接变换电路。
A:对
B:错
二次击穿是指当GTR的集电极电流增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降。
A:对
B:错
AC-AC变换是将交流电能的参数加以变换。
A:对
B:错
直流变换电路的工作方式有3种。
A:对
B:错
交-交变频电路如果正反两组同时导通，将经过晶闸管形成环流。
A:对
B:错
电导调制效应起作用需要一定的时间来储存大量的少子，在达到稳态导通前，管压降大。
A:对
B:错
电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用。
A:对
B:错
在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不是受门极电流控制而导通。
A:对
B:错
由单极性器件和双极性器件集成混合而成的电力电子器件被称为复合型器件。
A:对
B:错
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发表于 2020-8-8 19:08:21
