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 单相桥式全控整流电路两组触发脉冲在相位上相差( )。
A:30°
B:60°
C:90°
D:180°
单相半波可控整流电路阻感性负载情况下移相范围为( )。
A:0~π
B:0~π/2
C:0~π/3
D:0~π/6
在SPWM逆变器中,假设正弦调制波频率为50Hz,三角载波频率为5000Hz,则载波比为( )。
A:50
B:100
C:200
D:5000
从门极电流阶跃时刻开始,到阳极电流上升到稳态值的10%所需的时间称为( )。
A:上升时间
B:下降时间
C:延迟时间
D:关断时间
单相半波可控整流电感性负载电路中,在理想的条件下( )。
A:电感消耗的能量大于电阻消耗的能量
B:电感消耗的能量小于电阻消耗的能量
C:电感消耗的能量等于电阻消耗的能量
D:电感本身不消耗能量
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为( )。
A:700V
B:750V
C:800V
D:850V
一般情况下,反激式变换电路的工作占空比D( )。
A:大于0.5
B:等于0.5
C:小于0.5
D:小于0.1
当GTR的集电极电压升高至一次击穿电压临界值时,集电极电流会迅速增大,出现雪崩击穿,称为( )。
A:一次击穿
B:二次击穿
C:过压击穿
D:过流击穿
三相交-交变频电路是由3组输出电压相位彼此相差( )的单相输出交交变频电路组成的。
A:30°
B:60°
C:120°
D:150°
门极可关断晶闸管是晶闸管的一种派生器件,它可以通过在( )施加负的脉冲电流使其关断,因而实现了全控。
A:门极
B:正极
C:负极
D:阴极
变频电路可分为( )。
A:交交变频
B:交直变频
C:交值交变频
D:直交变频
晶闸管触发脉冲的参数有( )。
A:脉冲幅值
B:脉冲宽度
C:脉冲前沿陡度
D:脉冲输出功率
IGBT的输出特性可分为( )。
A:正向阻断区
B:有源区
C:饱和区
D:非线性区
带平衡电抗器的双反星形可控整流电路的特点:( )。
A:适用于低电压场合
B:适用于高电压场合
C:适用于小电流场合
D:适用于大电流场合
相控整流电路实现有源逆变的条件有( )。
A:负载侧存在直流电势
B:直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值
C:晶闸管触发角大于90度
D:晶闸管触发角小于90度
晶闸管具有以下哪三种极性( )。
A:阳极A
B:阴极K
C:门极K
D:栅极G
单相半波可控整流电路电阻负载的特点:( )。
A:电压与电流成正比
B:电压与电流成反比
C:电压与电流波形相同
D:电压与电流波形不同
下列关于功率二极管动态特性中描述正确的有( )。
A:外加正向电压时,正向电流对结电容充电
B:外加电压反向时,正向电流立即截至下降至0
C:外加反向电压时,电流对结电容充电
D:外加电压反向,正向电流不能立即降至0
以下描述中,哪几项不是采用多重化电压源型逆变器的目的( )。
A:减小输出幅值
B:增大输出幅值
C:减小谐波分量
D:减小输出功率
电网波形畸变含有高次谐波主要会导致( )。
A:发电机、输电变压器发热增加
B:对晶闸管装置、敏感电气设备如通信、计算机系统产生干扰
C:对交流电动机产生脉动转矩
D:影响精密测量仪器精度
电力二极管的基本结构和工作原理都是以半导体PN结为基础的。
A:对
B:错
整流电路是能够直接将交流电能转换为直流电能的电路。
A:对
B:错
交-交变频电路如果正反两组同时导通,将经过晶闸管形成环流。
A:对
B:错
在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压,晶闸管会重新正向导通,而不是受门极电流控制而导通。
A:对
B:错
电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用。
A:对
B:错
电流驱动型是通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断控制的电力电子器件。
A:对
B:错
直流变换电路的工作方式有3种。
A:对
B:错
逆变电路是能够直接将直流电能转换为交流电能的电路。
A:对
B:错
只有一种载流子的电力电子器件被称为单极性器件。
A:对
B:错
晶闸管的静态特性包含了阳极特性和门极特性。
A:对
B:错
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