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A:上升时间
B:下降时间
C:延迟时间
D:关断时间
三相交-交变频电路是由3组输出电压相位彼此相差（ ）的单相输出交交变频电路组成的。
A:30°
B:60°
C:120°
D:150°
一般情况下，反激式变换电路的工作占空比D（ ）。
A:大于0.5
B:等于0.5
C:小于0.5
D:小于0.1
晶闸管的导通条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加（ ）。
A:正向电压
B:反向电压
C:正向电流
D:触发电流
普通晶闸管延迟时间为（ ）。
A:0.5-1.5us
B:0.6-1.6us
C:0.7-1.7us
D:0.8-1.8us
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ）。
A:一次击穿
B:二次击穿
C:临界饱和
D:反向截止
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（ ）。
A:700V
B:750V
C:800V
D:850V
MCT通态压降只有GTR的（ ）。
A:1/2
B:1/3
C:1/4
D:1/5
三相全控桥式整流电路中，共阴极组的三个晶闸管的触发脉冲相位互差（ ）。
A:60°
B:90°
C:120°
D:150°
晶闸管触发电路中，若改变（ ）的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A:同步电压
B:控制电压
C:脉冲变压器变比
D:电流
变频电路可分为（ ）。
A:交交变频
B:交直变频
C:交值交变频
D:直交变频
多重化整流电路的特点：（ ）。
A:采用相同器件可达更大发射功率
B:采用不同器件可达更大发射功率
C:可以提高功率因数，减小对供电网络的干扰
D:可以减低功率因数，减小对供电网络的干扰
按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，可将电力电子器件分为（ ）。
A:双极性器件
B:单极性器件
C:复合型器件
D:双-单极性器件
单相半波可控整流电路电阻负载的特点：（ ）。
A:电压与电流成正比
B:电压与电流成反比
C:电压与电流波形相同
D:电压与电流波形不同
三相半波可控整流电路的阻感负载的特点（ ）。
A:阻感负载，电感值很大
B:阻感负载，电感值很小
C:Id波形基本平直
D:Id波形接近正旋
关断时间一般指（ ）之和。
A:存储时间
B:下降时间
C:上升时间
D:漂移时间
选择最小逆变角时需要考虑以下因素（ ）。
A:换相重叠角
B:晶闸管关断时间所对应的电角度
C:安全裕量角
D:控制角
三相半波可控整流电路的特点：（ ）。
A:变压器二次侧接成星形
B:变压器一次侧接成三角形
C:三个晶闸管分别接三个三相电源
D:三个晶闸管接一个三相电源
相控整流电路实现有源逆变的条件有（ ）。
A:负载侧存在直流电势
B:直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值
C:晶闸管触发角大于90度
D:晶闸管触发角小于90度
通常所用的电能有（ ）。
A:交流
B:直流
C:单相
D:三相
目前，GTO的工作频率可达3~4kHz。
A:对
B:错
电力MOSFET是一种单极性电力电子器件，在导通时只有一种极性的载流子参与导电。
A:对
B:错
电导调制效应起作用需要一定的时间来储存大量的少子，在达到稳态导通前，管压降大。
A:对
B:错
在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不是受门极电流控制而导通。
A:对
B:错
电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用。
A:对
B:错
三相全控桥电路应采用宽于60°的单宽脉冲或相隔60°的双窄脉冲。
A:对
B:错
交-交变频电路如果正反两组同时导通，将经过晶闸管形成环流。
A:对
B:错
电流驱动型是通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断控制的电力电子器件。
A:对
B:错
整流电路是能够直接将交流电能转换为直流电能的电路。
A:对
B:错
直流变换电路的工作方式有3种。
A:对
B:错
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发表于 2020-8-8 19:08:20
