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 要提高放大器的带载能力,提高输入电阻,应引入()负反馈
A:电压并联
B:电流并联
C:电压串联
D:电流串联
电子电路中常用的半导体器件有( )。
A:二极管
B:稳压管
C:双极型三极管
D:以上都是
集成运放电路采用直接耦合方式是因为( )
A:可获得很大的放大倍数
B:可使温漂小
C:集成工艺难于制造大容量电容
杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为( )。
A:N型半导体
B:P型半导体
C:电子型半导体
在深度负反馈时,放大器的放大倍数( )
A:仅与基本放大器有关
B:仅与反馈网络有关
C:与二者密切相关
D:与二者均无关
欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入( )。
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈
测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是( )
A:输入电压幅值不变,改变频率
B:输入电压频率不变,改变幅值
C:输入电压的幅值与频率同时变化
典型差放的RE对( )有抑制作用
A:差模信号
B:共模信号
C:差模和共模性信号都
D:差模和共模信号都没
变容二极管在电路中使用时,其PN结是( )。
A:正向运用
B:反向运用
C:不确定
欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入( )。
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
A:耦合电容和旁路电容的存在
B:半导体管极间电容和分布电容的存在
C:半导体管的非线性特性
D:放大电路的静态工作点不合适
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有( )。
A:ICM
B:ICBO
C:PCM
欲实现Au=-100的放大电路,应选用( );欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( )。
A:反相比例运算电路
B:同相比例运算电路
C:积分运算电路
D:微分运算电路
功率放大电路与电流放大电路的区别是( )
A:前者比后者电流放大倍数大
B:前者比后者效率高
C:在电源电压相同的情况下,前者比后者的输出功率大
要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( )。
A:共源电路
B:共集电路
C:共基电路
D:共射电路
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用( )滤波电路;为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( )滤波电路 。
A:带阻
B:带通
C:低通
D:有源
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )
A:电阻阻值有误差
B:晶体管参数的分散性
C:晶体管参数受温度影响
D:电源电压不稳定
关于集成运算放大器,下列说法正确的是( )
A:集成运放是一种高电压放大倍数的直接耦合放大器
B:集成运放只能放大直流信号
C:希望集成运放的输入电阻大,输出电阻小
D:集成运放的CMRR大
功率放大电路与电压放大电路的区别是( )。
A:前者比后者电源电压高
B:前者比后者电压放大倍数数值大
C:前者比后者效率高
D:在电源电压相同的情况下,前者比后者的最大不失真输出电 压大
功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。( )
A:错误
B:正确
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
A:错误
B:正确
凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。( )
A:错误
B:正确
运放的输入失调电流是两端电流之差。( )
A:错误
B:正确
放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( )
A:错误
B:正确
运放的输入失调电压是两输入端电位之差。( )
A:错误
B:正确
只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )
A:错误
B:正确
在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。( )
A:错误
B:正确
互补输出级应采用共集或共漏接法。( )
A:错误
B:正确
可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )
A:错误
B:正确
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