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A:电压
B:电流
C:串联
D:并联
实际工作中选用三极管时，要求三极管的反向饱和电流和穿透电流尽可能（ ），这两个反向电流的值越（ ），表明三极管的质量越（ ）。
A:大 大 高
B:小 小 低
C:大 大 低
D:小 小 高
欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ）。
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈
能很好的克服零点漂移的电路是（ ）
A:固定偏置式电路
B:功放电路
C:差放电路
D:积分电路
对于放大电路，所谓开环是指（ ）。
A:无信号源
B:无反馈通路
C:无电源
为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ ）
A:共射放大电路
B:共集放大电路
C:共基放大电路
对于硅晶体管来说其死区电压约为( )
A:0.1
B:0.5
C:0.7
欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ ）。
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈
若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应采用（ ）
A:电容滤波稳压管稳压电路
B:电感滤波稳压管稳压电路
C:电容滤波串联型稳压电路
D:电感滤波串联型稳压电路
改变输入电阻和输出电阻，应引入（ ）。
A:直流负反馈
B:交流负反馈
C:正反馈
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有( )。
A:ICM
B:ICBO
C:PCM
要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用( )，二级应采用( )。
A:共源电路
B:共集电路
C:共基电路
D:共射电路
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
A:耦合电容和旁路电容的存在
B:半导体管极间电容和分布电容的存在
C:半导体管的非线性特性
D:放大电路的静态工作点不合适
关于集成运算放大器，下列说法正确的是（ ）
A:集成运放是一种高电压放大倍数的直接耦合放大器
B:集成运放只能放大直流信号
C:希望集成运放的输入电阻大，输出电阻小
D:集成运放的CMRR大
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )
A:电阻阻值有误差
B:晶体管参数的分散性
C:晶体管参数受温度影响
D:电源电压不稳定
功率放大电路与电压放大电路的区别是( )。
A:前者比后者电源电压高
B:前者比后者电压放大倍数数值大
C:前者比后者效率高
D:在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电 压大
欲实现Au＝－100的放大电路，应选用( )；欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
A:反相比例运算电路
B:同相比例运算电路
C:积分运算电路
D:微分运算电路
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用( )滤波电路；为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用( )滤波电路 。
A:带阻
B:带通
C:低通
D:有源
功率放大电路与电流放大电路的区别是（ ）
A:前者比后者电流放大倍数大
B:前者比后者效率高
C:在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大
运放的输入失调电流是两端电流之差。( )
A:错误
B:正确
互补输出级应采用共集或共漏接法。( )
A:错误
B:正确
当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。（ ）
A:错误
B:正确
各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。（ ）
A:错误
B:正确
在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（ ）
A:错误
B:正确
电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）
A:错误
B:正确
凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（ ）
A:错误
B:正确
功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（ ）
A:错误
B:正确
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）
A:错误
B:正确
直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（ ）
A:错误
B:正确
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发表于 2020-8-8 19:00:11
