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A:增加一倍
B:增加一倍以上
C:略有增加
D:不变
一个放大器由两个相同的放大级组成,已知每级的通频带为15KHz,放大器总通频带为( )
A:15KHz
B:30KHz
C:大于15KHz
D:小于15KHz
UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
差分放大电路由双端输入变为单端输入,则差模电压增益( )
A:增加一倍
B:为双端输入时的1/2
C:不变
D:不确定
稳定放大电路的放大倍数(增益),应引入( )。
A:直流负反馈
B:交流负反馈
C:正反馈
用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U1=2.8V的那个极是( ).
A:发射极
B:基极
C:集电极
放大电路产生零点漂移的主要原因是:( )
A:电压增益太大
B:环境温度变化
C:采用直接耦合方式
D:采用阻容耦合方式
欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入( )。
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈
欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入( )。
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈
实际工作中选用三极管时,要求三极管的反向饱和电流和穿透电流尽可能( ),这两个反向电流的值越( ),表明三极管的质量越( )。
A:大 大 高
B:小 小 低
C:大 大 低
D:小 小 高
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( ),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )。
A:耦合电容和旁路电容的存在
B:半导体管极间电容和分布电容的存在
C:半导体管的非线性特性
D:放大电路的静态工作点不合适
功率放大电路与电流放大电路的区别是( )
A:前者比后者电流放大倍数大
B:前者比后者效率高
C:在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大
在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有( )。
A:ICM
B:ICBO
C:PCM
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用( )滤波电路;为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( )滤波电路 。
A:带阻
B:带通
C:低通
D:有源
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )
A:电阻阻值有误差
B:晶体管参数的分散性
C:晶体管参数受温度影响
D:电源电压不稳定
要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( )。
A:共源电路
B:共集电路
C:共基电路
D:共射电路
关于集成运算放大器,下列说法正确的是( )
A:集成运放是一种高电压放大倍数的直接耦合放大器
B:集成运放只能放大直流信号
C:希望集成运放的输入电阻大，输出电阻小
D:集成运放的CMRR大
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
欲实现Au=-100的放大电路,应选用( );欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( )。
A:反相比例运算电路
B:同相比例运算电路
C:积分运算电路
D:微分运算电路
功率放大电路与电压放大电路的区别是( )。
A:前者比后者电源电压高
B:前者比后者电压放大倍数数值大
C:前者比后者效率高
D:在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电 压大
只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( )
A:对
B:错
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )
A:对
B:错
互补输出级应采用共集或共漏接法。( )
A:对
B:错
放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( )
A:对
B:错
功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。( )
A:对
B:错
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
A:对
B:错
各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。( )
A:对
B:错
直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。( )
A:对
B:错
运放的输入失调电压是两输入端电位之差。( )
A:对
B:错
凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。( )
A:对
B:错
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发表于 2020-8-8 18:57:44
