20秋学期《电力电子电路》在线平时作业3

adminhan

三相半波共阳极组可控整流电路，自然换相点是（）。
A:三相电源的过零点
B:三相电源相电压正半周波形的交点
C:三相电源相电压负半周波形的交点
D:三相电源线电压正半周波形的交点

同步信号为锯齿波的触发电路，双窄脉冲中第一个主脉冲由本相触发单元产生，第二个补脉冲（）。
A:由超前本相60deg;相位的前一相触发单元产生；
B:由滞后本相60deg;相位的后一相触发单元产生；
C:由超前本相120deg;相位的前一相触发单元产生；
D:由滞后本相120deg;相位的后一相触发单元产生。

单相桥式半控整流电路一共有（）只晶闸管。
A:1
B:2
C:3
D:4

三相半波共阳极组可控整流电路，晶闸管在换相时（）。
A:总是从阳极电位低的那相换到阳极电位高的那相
B:总是从阳极电位高的那相换到阳极电位低的那相
C:总是从阴极电位高的那相换到阴极电位低的那相
D:总是从阴极电位低的那相换到阴极电位高的那相

三相半波可控整流电路，电阻性负载，脉冲的移相范围是（）。
A:90deg;
B:120deg;
C:150deg;
D:180deg;

电压与电流波形相同的是（）。
A:三相半波整流电路，电阻性负载
B:三相半波整流电路，电感性负载
C:单相全控桥式整流电路，电感性负载
D:带续流二极管的单相半控桥式整流电路，电感性负载

三相半波可控整流电路一共有（）只晶闸管。
A:1
B:2
C:3
D:4

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。
A:发射极，基极，集电极；
B:发射极，栅极，集电极；
C:源极，栅极，漏极；
D:阴极，门极，阳极。

三相桥式全控整流电路，同一相的两只晶闸管的触发脉冲间隔（）。
A:60deg;
B:120deg;
C:150deg;
D:180deg;

晶闸管三个电极分别为()。
A:发射极，基极，集电极；
B:第一基极，发射极，第二基极；
C:源极，栅极，漏极；
D:阴极，门极，阳极。

将两组三相可逆整流器反并联即可构成三相-单相变频电路。
A:错误
B:正确

共阳极组变流电路，逆变电压负半波大于正半波。
A:错误
B:正确

三相共阴极整流电路，整流管换相总是换到阳极电位更高的一相中去。
A:错误
B:正确

IGBT存在擎住效应。
A:错误
B:正确

单相半波可控整流电路，电阻性负载，最大移相范围是180deg;。
A:错误
B:正确

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。
A:错误
B:正确

P-MOSFET分为style=FONT-SIZE:12ptN沟道型和style=FONT-SIZE:12ptP沟道型。style=FONT-SIZE:12pt
A:错误
B:正确

门极可关断晶闸管GTO是电压控制型器件。
A:错误
B:正确

缓冲电路的基本设计思路是：在器件开通时，使电压缓升；在器件关断时，使电流缓升。
A:错误
B:正确

三相共阳极整流电路，整流管总在三相相电压波形负半周的自然换相点换流。
A:错误
B:正确