20秋学期《电力电子电路Ⅰ》在线平时作业2

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三相桥式半控整流电路一共有（）只晶闸管。
A:2
B:3
C:4
D:6

同步信号为锯齿波的触发电路，双窄脉冲中第一个主脉冲由本相触发单元产生，第二个补脉冲（）。
A:由超前本相60deg;相位的前一相触发单元产生；
B:由滞后本相60deg;相位的后一相触发单元产生；
C:由超前本相120deg;相位的前一相触发单元产生；
D:由滞后本相120deg;相位的后一相触发单元产生。

场效应管三个电极分别为()。
A:发射极，基极，集电极；
B:第一基极，发射极，第二基极；
C:源极，栅极，漏极；
D:阴极，门极，阳极。

晶闸管的额定电压是（）。
A:断态重复峰值电压
B:反向重复峰值电压
C:A和B中较大者
D:A和B中较小者

锯齿波触发电路，整定初始相位时需要调整（）。
A:电源电压UE
B:控制电压Uct
C:偏移电压Up
D:同步电压UTS

三相半波可控整流电路，电阻性负载，（）是ud波形连续和断续的分界点。
A:30deg;
B:60deg;
C:90deg;
D:120deg;

不可控整流电路中的二极管在（）换流。
A:通电时
B:断电时
C:触发时
D:电压过零时

三相桥式全控整流电路，晶闸管的电流平均值是（）。
A:A
B:B
C:C
D:D

三相桥式全控整流电路，电阻性负载，脉冲的移相范围是（）。
A:90deg;
B:120deg;
C:150deg;
D:180deg;

功率晶体管三个电极分别为()。
A:发射极，基极，集电极；
B:第一基极，发射极，第二基极；
C:源极，栅极，漏极；
D:阴极，门极，阳极。

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。
A:错误
B:正确

GTR存在二次击穿现象。
A:错误
B:正确

单相半波可控整流电路晶闸管的最大导通角为120deg;。
A:错误
B:正确

交-交变频电路只有方波型交-交变频器。
A:错误
B:正确

电流型交-直-交变频器中间滤波环节采用大电感滤波。
A:错误
B:正确

三相交-直-交电压型变频器任意时刻都有三只晶闸管同时导通。
A:错误
B:正确

GTR存在擎住效应。
A:错误
B:正确

使器件从断态转入通态的最低电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt。
A:错误
B:正确

P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。
A:错误
B:正确

共阴极组变流电路，整流电压正半波大于负半波。
A:错误
B:正确