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A:2条曲线限定
B:3条曲线限定
C:4条曲线限定
D:5条曲线限定
从门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%所需的时间称为（ ）。
A:上升时间
B:下降时间
C:延迟时间
D:关断时间
门极可关断晶闸管是晶闸管的一种派生器件，它可以通过在（ ）施加负的脉冲电流使其关断，因而实现了全控。
A:门极
B:正极
C:负极
D:阴极
在三相桥式可控整流电路中，输出电压由（ ）段线电压组成。
A:2
B:4
C:6
D:8
普通晶闸管延迟时间为（ ）。
A:0.5-1.5us
B:0.6-1.6us
C:0.7-1.7us
D:0.8-1.8us
门极可关断晶闸管有（ ）个层。
A:2
B:3
C:4
D:5
单相半波可控整流电感性负载电路中，在理想的条件下（ ）。
A:电感消耗的能量大于电阻消耗的能量
B:电感消耗的能量小于电阻消耗的能量
C:电感消耗的能量等于电阻消耗的能量
D:电感本身不消耗能量
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（ ）。
A:700V
B:750V
C:800V
D:850V
一般情况下，反激式变换电路的工作占空比D（ ）。
A:大于0.5
B:等于0.5
C:小于0.5
D:小于0.1
下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件（ ）。
A:二极管
B:晶闸管
C:功率晶体管
D:逆导晶闸管
三相半波可控整流电路的阻感负载的特点（ ）。
A:阻感负载，电感值很大
B:阻感负载，电感值很小
C:Id波形基本平直
D:Id波形接近正旋
按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，可将电力电子器件分为（ ）。
A:双极性器件
B:单极性器件
C:复合型器件
D:双-单极性器件
变频电路可分为（ ）。
A:交交变频
B:交直变频
C:交值交变频
D:直交变频
准谐振电路可以分为（ ）。
A:零电压开关准谐振电路
B:零电流开关准谐振电路
C:零电压开关多谐振电路
D:零电流开关多谐振电路
选择最小逆变角时需要考虑以下因素（ ）。
A:换相重叠角
B:晶闸管关断时间所对应的电角度
C:安全裕量角
D:控制角
三相半波可控整流电路的特点：（ ）。
A:变压器二次侧接成星形
B:变压器一次侧接成三角形
C:三个晶闸管分别接三个三相电源
D:三个晶闸管接一个三相电源
电网波形畸变含有高次谐波主要会导致（ ）。
A:发电机、输电变压器发热增加
B:对晶闸管装置、敏感电气设备如通信、计算机系统产生干扰
C:对交流电动机产生脉动转矩
D:影响精密测量仪器精度
以下描述中，哪几项不是采用多重化电压源型逆变器的目的（ ）。
A:减小输出幅值
B:增大输出幅值
C:减小谐波分量
D:减小输出功率
相控整流电路实现有源逆变的条件有（ ）。
A:负载侧存在直流电势
B:直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值
C:晶闸管触发角大于90度
D:晶闸管触发角小于90度
KC04集成移相触发器的主要技术参数有（ ）。
A:电源电压
B:脉冲幅值
C:移相范围
D:《续焚烧书》
E:输出最大电流
直流变换电路的工作方式有3种。
A:对
B:错
交-交变频电路如果正反两组同时导通，将经过晶闸管形成环流。
A:对
B:错
晶闸管的静态特性包含了阳极特性和门极特性。
A:对
B:错
二次击穿是指当GTR的集电极电流增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降。
A:对
B:错
只有一种载流子的电力电子器件被称为单极性器件。
A:对
B:错
DC-DC变换是将恒定直流变成断续脉冲输出，以改变其平均值。
A:对
B:错
在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不是受门极电流控制而导通。
A:对
B:错
整流电路是能够直接将交流电能转换为直流电能的电路。
A:对
B:错
交-交变频电路是不通过中间直流环节而将电网频率的交流电直接变换成不同频率的交流电的交流变换电路。
A:对
B:错
全控型器件及高频化的功能促进了电力电子电路的弱电化。
A:对
B:错
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发表于 2020-8-8 19:08:21
