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 断态重复峰值电压规定为断态不重复峰值电压的( )。
A:30%
B:40%
C:50%
D:90%
三相半波可控整流电路输出电压的脉动频率与交流输入电源的频率之比为( )。
A:6
B:3
C:2
D:1
在三相桥式不控大电感负载整流电路中,整流输入电流是正、负半波对称脉宽为( )的矩形交变电流。
A:60°
B:90°
C:120°
D:180°
三相桥式全控整流电路进行相位控制时,其移相范围为( )。
A:0~30°
B:0~45°
C:0~90°
D:0~150°
三相交-交变频电路是由3组输出电压相位彼此相差( )的单相输出交交变频电路组成的。
A:30°
B:60°
C:120°
D:150°
一般情况下,反激式变换电路的工作占空比D( )。
A:大于0.5
B:等于0.5
C:小于0.5
D:小于0.1
单相半波可控整流电感性负载电路中,在理想的条件下( )。
A:电感消耗的能量大于电阻消耗的能量
B:电感消耗的能量小于电阻消耗的能量
C:电感消耗的能量等于电阻消耗的能量
D:电感本身不消耗能量
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )。
A:一次击穿
B:二次击穿
C:临界饱和
D:反向截止
普通晶闸管上升时间为( )。
A:0.5-1.5us
B:0.5-3us
C:0.7-5us
D:0.8-6us
单相桥式全控整流电路两组触发脉冲在相位上相差( )。
A:30°
B:60°
C:90°
D:180°
变频电路可分为( )。
A:交交变频
B:交直变频
C:交值交变频
D:直交变频
电力二极管的主要类型有( )。
A:普通二极管
B:快恢复二极管
C:肖特基二极管
D:快速二极管
按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,可将电力电子器件分为( )。
A:双极性器件
B:单极性器件
C:复合型器件
D:双-单极性器件
不同直流电能的( )是不同的。
A:电压幅值
B:电压相位
C:电压频率
D:电压不平衡率
三相半波可控整流电路的阻感负载的特点( )。
A:阻感负载,电感值很大
B:阻感负载,电感值很小
C:Id波形基本平直
D:Id波形接近正旋
关断时间一般指( )之和。
A:存储时间
B:下降时间
C:上升时间
D:漂移时间
准谐振电路可以分为( )。
A:零电压开关准谐振电路
B:零电流开关准谐振电路
C:零电压开关多谐振电路
D:零电流开关多谐振电路
下列关于功率二极管动态特性中描述正确的有( )。
A:外加正向电压时,正向电流对结电容充电
B:外加电压反向时,正向电流立即截至下降至0
C:外加反向电压时,电流对结电容充电
D:外加电压反向,正向电流不能立即降至0
下列描述中属于电力MOSFET的特点有( )。
A:驱动功率小
B:开关速度快
C:工作频率高
D:耐压高
电网波形畸变含有高次谐波主要会导致( )。
A:发电机、输电变压器发热增加
B:对晶闸管装置、敏感电气设备如通信、计算机系统产生干扰
C:对交流电动机产生脉动转矩
D:影响精密测量仪器精度
正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大的压降。
A:对
B:错
晶闸管在承受正向阳极电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才有可能被开通。
A:对
B:错
晶闸管处于反向阻断状态时,只能流过很小的反向漏电流。
A:对
B:错
目前,GTO的工作频率可达3~4kHz。
A:对
B:错
直流变换电路的工作方式有3种。
A:对
B:错
整流电路是能够直接将交流电能转换为直流电能的电路。
A:对
B:错
三相全控桥电路应采用宽于60°的单宽脉冲或相隔60°的双窄脉冲。
A:对
B:错
开关电源的效应通常可达80%以上。
A:对
B:错
在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压,晶闸管会重新正向导通,而不是受门极电流控制而导通。
A:对
B:错
逆变电路是能够直接将直流电能转换为交流电能的电路。
A:对
B:错
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