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A:6
B:3
C:2
D:1
三相桥式全控整流电路进行相位控制时，其移相范围为（ ）。
A:0~30°
B:0~45°
C:0~90°
D:0~150°
电阻性负载三相半波可控整流电路，当控制角α≥（ ）时，整流输出电压平均值等于零。
A:90°
B:120°
C:150°
D:180°
在SPWM逆变器中，假设正弦调制波频率为50Hz，三角载波频率为5000Hz，则载波比为（ ）。
A:50
B:100
C:200
D:5000
在三相桥式可控整流电路中，输出电压由（ ）段线电压组成。
A:2
B:4
C:6
D:8
单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（ ）。
A:90°
B:120°
C:150°
D:180°
α为（ ）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A:0°
B:60°
C:30°
D:120°
晶闸管反向峰值电压被规定为反向不重复峰值电压的（ ）。
A:80%
B:90%
C:110%
D:120%
普通晶闸管上升时间为（ ）。
A:0.5-1.5us
B:0.5-3us
C:0.7-5us
D:0.8-6us
晶闸管的导通条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加（ ）。
A:正向电压
B:反向电压
C:正向电流
D:触发电流
相控整流电路实现有源逆变的条件有（ ）。
A:负载侧存在直流电势
B:直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值
C:晶闸管触发角大于90度
D:晶闸管触发角小于90度
带平衡电抗器的双反星形可控整流电路的特点：（ ）。
A:适用于低电压场合
B:适用于高电压场合
C:适用于小电流场合
D:适用于大电流场合
晶闸管具有以下哪三种极性（ ）。
A:阳极A
B:阴极K
C:门极K
D:栅极G
IGBT具有以下哪三种极性（ ）。
A:门极K
B:栅极G
C:集电极C
D:发射极E
电力电子技术的发展趋势有（ ）。
A:高频化
B:模块化
C:数字化
D:绿色化
通常所用的电能有（ ）。
A:交流
B:直流
C:单相
D:三相
IGBT的输出特性可分为（ ）。
A:正向阻断区
B:有源区
C:饱和区
D:非线性区
三相交流调压电路的常见形式（ ）。
A:星形联结
B:线路控制三角形联结
C:中点控制三角形联结
D:支路控制三角形联结
变换器根据相数可分为（ ）。
A:单相
B:二相
C:三相
D:四相
触发电路根据控制晶闸管的通断情况可分为（ ）。
A:移相触发
B:过零触发
C:过压触发
D:过流触发
晶闸管的静态特性包含了阳极特性和门极特性。
A:对
B:错
线性稳压电源的效率一般低于40%。
A:对
B:错
由单极性器件和双极性器件集成混合而成的电力电子器件被称为复合型器件。
A:对
B:错
负载阻抗角表示负载中电压超前电流的角度。
A:对
B:错
二次击穿是指当GTR的集电极电流增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降。
A:对
B:错
电力MOSFET是一种单极性电力电子器件，在导通时只有一种极性的载流子参与导电。
A:对
B:错
晶闸管在承受正向阳极电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才有可能被开通。
A:对
B:错
双向晶闸管在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第I和第III象限有对称的伏安特性。
A:对
B:错
电压驱动型是通过从控制端注入或者抽出电压来实现导通或者关断控制的电力电子器件。
A:对
B:错
DC-DC变换是将恒定直流变成断续脉冲输出，以改变其平均值。
A:对
B:错
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发表于 2020-8-8 19:08:20
