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 三相桥式逆变电路要求每( )依次触发晶闸管。
A:30°
B:45°
C:60°
D:90°
单相半波可控整流电路阻感性负载情况下移相范围为( )。
A:0~π
B:0~π/2
C:0~π/3
D:0~π/6
在三相全控桥式有源逆变电路中,电路工作于晶闸管V 15、V 16导通状态,则V 14承受的正向电压为( )。
A:uBC
B:uCA
C:uCB
D:uBA
单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )。
A:90°
B:120°
C:150°
D:180°
在SPWM逆变器中,假设正弦调制波频率为50Hz,三角载波频率为5000Hz,则载波比为( )。
A:50
B:100
C:200
D:5000
功率晶体管的安全工作区由( )。
A:2条曲线限定
B:3条曲线限定
C:4条曲线限定
D:5条曲线限定
晶闸管触发电路中,若改变( )的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。
A:同步电压
B:控制电压
C:脉冲变压器变比
D:电流
晶闸管反向峰值电压被规定为反向不重复峰值电压的( )。
A:80%
B:90%
C:110%
D:120%
三相半波可控整流电路一般是整流变压器的一次绕组按三角形连接,二次绕组按( )形连接。
A:星
B:三角
C:圆
D:方
门极可关断晶闸管是晶闸管的一种派生器件,它可以通过在( )施加负的脉冲电流使其关断,因而实现了全控。
A:门极
B:正极
C:负极
D:阴极
通常所用的电能有( )。
A:交流
B:直流
C:单相
D:三相
触发电路根据控制晶闸管的通断情况可分为( )。
A:移相触发
B:过零触发
C:过压触发
D:过流触发
准谐振电路可以分为( )。
A:零电压开关准谐振电路
B:零电流开关准谐振电路
C:零电压开关多谐振电路
D:零电流开关多谐振电路
单相半波可控整流电路电感负载的特点:( )。
A:电感对电流变化有推动作用
B:电感对电流变化有抗拒作用
C:流过电感的电流能发生突变
D:流过电感的电流不发生突变
三相半波可控整流电路的特点:( )。
A:变压器二次侧接成星形
B:变压器一次侧接成三角形
C:三个晶闸管分别接三个三相电源
D:三个晶闸管接一个三相电源
下列关于功率二极管动态特性中描述正确的有( )。
A:外加正向电压时,正向电流对结电容充电
B:外加电压反向时,正向电流立即截至下降至0
C:外加反向电压时,电流对结电容充电
D:外加电压反向,正向电流不能立即降至0
单相半波可控整流电路电阻负载的特点:( )。
A:电压与电流成正比
B:电压与电流成反比
C:电压与电流波形相同
D:电压与电流波形不同
电力变换的种类是( )。
A:交流变直流
B:交流变交流
C:直流变交流
D:直流变直流
下列描述中属于电力MOSFET的特点有( )。
A:驱动功率小
B:开关速度快
C:工作频率高
D:耐压高
关断时间一般指( )之和。
A:存储时间
B:下降时间
C:上升时间
D:漂移时间
双向晶闸管在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以双向晶闸管在第I和第III象限有对称的伏安特性。
A:对
B:错
目前,GTO的工作频率可达3~4kHz。
A:对
B:错
肖特基二极管的弱点为:当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求。
A:对
B:错
电力二极管的基本结构和工作原理都是以半导体PN结为基础的。
A:对
B:错
晶闸管的静态特性包含了阳极特性和门极特性。
A:对
B:错
逆变电路是能够直接将直流电能转换为交流电能的电路。
A:对
B:错
负载阻抗角表示负载中电压超前电流的角度。
A:对
B:错
晶闸管在承受正向阳极电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才有可能被开通。
A:对
B:错
DC-DC变换是将恒定直流变成断续脉冲输出,以改变其平均值。
A:对
B:错
全控型器件及高频化的功能促进了电力电子电路的弱电化。
A:对
B:错
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