地大《晶体生长与合成宝石》在线作业二

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合适的（）是生长高质量晶体的关键因素。
A:下籽晶温度
B:温度
C:籽晶温度
D:下籽晶温度

晶体在成核时，由于晶面能量对整个表面能量影响不大，所以它趋于（）。
A:长方形
B:菱形
C:球状
D:多面体

（）是目前生长各种大型单晶和特定形状单晶最常用的方法。
A:熔体生长法
B:焰熔法
C:水热法
D:助溶剂法

（）的制造是中国古代晶体生长的又一实例。
A:银朱
B:结晶釉
C:盐
D:玻璃

（）是目前应用最为广泛的一种熔体法晶体生长方法。
A:导模法
B:提拉法
C:水热法
D:助溶剂法

（）是利用高温高压的水溶液使那些在大气条件下不溶或难溶的的物质溶解，或反应生成该物质的溶解产物，通过控制高压釜内溶液的温差使产生对流以形成过饱和状态而析出生长晶体的方法。
A:焰熔法
B:水热法
C:助溶剂法
D:冷坩埚熔壳法

焰熔法晶体生长合成过程是在（）中进行的。
A:供料系统
B:燃烧系统
C:生长系统
D:维尔纳叶炉

为了使发热体达到稳定温度，就需要尽量减少热损耗，通常的办法是在发热体和环境之间放置一个（）。
A:保温层
B:杂质
C:固液
D:边界层

采用来获得生长所需的过饱和度是最简便，也是应用最广泛的方法。
A:缓冷法
B:助溶剂蒸发法
C:温度梯度法
D:顶部籽晶法

人造宝石是（）。
A:由人工制造且自然界无已知对应物的晶质或非晶质体
B:由两块或两块以上材料经人工拼合而成，且给人以整体外观的珠宝玉石
C:通过人工手段将天然珠宝玉石碎块熔结或压结成具整体外观的宝石
D:用于模仿天然珠宝玉石的颜色、外观和特殊光学效应的宝石

以下哪些是影响晶体生长的环境因素？
A:涡流
B:粘度
C:结晶速率
D:过饱和浓度

水热法的优点有（）。
A:可以生长存在相变的材料
B:可以生长有较高完美性的优质大晶体
C:与自然界生长晶体的条件很相似
D:整个生长过程不能观察

焰熔法晶体生长装置由（）组成。
A:供料系统
B:燃烧系统
C:生长系统
D:维尔纳叶炉

晶核由（）组成
A:溶质分子
B:原子或离子
C:中子
D:质子

从溶液中生产晶体的方法主要有（）。
A:焰熔法
B:晶体提拉法
C:助溶剂法
D:水热法

晶体缺陷包括（）两大类。
A:成分缺陷
B:结构缺陷
C:不完整性
D:点缺陷

结晶作用的基本方式有（）。
A:液
B:气
C:固
D:水

根据熔区的特点，熔体生长的方法可以分为两类：（）
A:导模法
B:正常凝固法
C:逐区熔化法
D:提拉法

均匀成核和非均匀成核的不同点有（）。
A:形核的驱动力和阻力相同
B:非均匀形核与固体杂质接触，减少了表面自由能的增加
C:非均匀形核的形核率随着过冷度增大而增加
D:非均匀形核的晶核体积小，形核功小，形核所需结构起伏和能量起伏就小；形核容易，临界过冷度小

熔体生长的方法主要有（）。
A:直拉法
B:坩埚下降法
C:区熔法
D:焰熔法

当晶体生长完毕后，将溶液抽出，待降到室温后方可把晶体取出，以防止因温差过大而引起晶体炸裂。
A:对
B:错

通常把溶液中量多的组分叫溶质，量少的组分叫溶剂。
A:对
B:错

人工晶体的生长实际上就是把组成晶体的基元接离后又重新使他们组合的过程。
A:对
B:错

晶体在成核时，由于晶面能量对整个表面能量影响不大，所以它趋于球状。
A:对
B:错

晶体生长过程实质是生长的质点从环境相中不断地通过界面而进入晶格的过程。
A:对
B:错

晶体提拉法的装置由五部分组成，分别是加热系统、供热系统、传动系统、气氛控制系统、后热器。
A:对
B:错

晶体结晶过程与其他相变过程不同，不需要满足结晶的热力学条件和结晶的结构条件。
A:对
B:错

过冷是结晶的基本条件，只有过冷才能使固相自由能低于液相自由能，也只有过冷才可以使液相中的短程规则排列结晶成为晶胚。
A:对
B:错

某些人工宝石在不同场合下可有不同的名称。
A:对
B:错

导模法主要用于生长特定形状的晶体。
A:对
B:错