地大《晶体生长与合成宝石》在线作业一

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（）是指原子排列处于几何上的混乱状态。
A:结构缺陷
B:点阵缺陷
C:几何缺陷
D:零维缺陷

（）就是将拟生长的晶体材料通过升华、蒸发、分解等过程转化为气相，然后通过适当条件使其成为饱和蒸气，经冷凝结晶而生长成晶体。
A:熔体法
B:溶液法
C:气相生长
D:固相生长

第一次晶体生长的回忆是（）由法拉第学会主持在Bristol举行的。
A:1959年
B:1948年
C:1949年
D:1950年

（）的制造是中国古代晶体生长的又一实例。
A:银朱
B:结晶釉
C:盐
D:玻璃

在晶体生产中，自发产生晶核的过程称为（）。
A:非均匀成核
B:均匀成核
C:晶体成核
D:晶核

（）主要用于生长定形核多晶薄膜，控制适当也可生长单晶薄膜。
A:溅射法
B:升华法
C:分子束法
D:凝结法

人为曹成晶体旋转而形成的对流称为（）。
A:强迫对流
B:自然对流
C:加速热量
D:质量传输

（）控制晶体生长的关键技术是掌握合适的降温速度。
A:溅射法
B:升华法
C:降温法
D:凝结法

（）是目前应用最为广泛的一种熔体法晶体生长方法。
A:导模法
B:提拉法
C:水热法
D:助溶剂法

在一定的工艺条件下所能达到的最高温度，首先取决于（）。
A:热损耗
B:液流效应
C:温场
D:加热功率

改善的宝石要达到（　　）、（　　）、（　）3个标准
A:坚韧
B:美观性
C:耐久
D:安全性

结构缺陷在三维空间的尺度，又可将结构缺陷分为（）三类。
A:化学缺陷
B:点缺陷
C:线缺陷
D:面缺陷

均匀成核和非均匀成核的相同点有（）。
A:形核的驱动力和阻力相同
B:非均匀形核与固体杂质接触，减少了表面自由能的增加
C:临界晶核半径相等
D:结构起伏和能量起伏是形核的基础

根据熔区的特点，熔体生长的方法可以分为两类：（）
A:导模法
B:正常凝固法
C:逐区熔化法
D:提拉法

气相法晶体生长的特点是（）。
A:晶体纯度高
B:容易生长
C:设备简单
D:晶体完整性好

以下哪些是影响晶体生长的环境因素？
A:涡流
B:粘度
C:结晶速率
D:过饱和浓度

水热法合成红宝石普遍具有明显的内部生长纹，常呈( )状、( )状。
A:点
B:面
C:线
D:网

结晶作用的基本方式有（）。
A:液
B:气
C:固
D:水

在熔体中生产晶体的方法主要有（）。
A:焰熔法
B:晶体提拉法
C:冷坩埚熔壳法
D:熔体导模法和区域熔炼法

晶体生长方法可以根据其母相的类型归纳为四类：（）。
A:熔体法
B:溶液法
C:气相生长
D:固相生长

晶体提拉法的装置由五部分组成，分别是加热系统、供热系统、传动系统、气氛控制系统、后热器。
A:对
B:错

闭管法的优点是材料生长速率慢，不适于进行大批生产，反应管只能使用一次，提高了成本。
A:对
B:错

坩埚下降法晶体生长最关键的设备是适合不同类型晶体生长的结晶炉和坩埚。
A:对
B:错

十分规律的生长速率是生长完整性好的优质单晶的唯一条件。
A:对
B:错

焰熔法合成的宝石晶体缺陷少，与其他方法生长的宝石差不多。
A:对
B:错

过冷是结晶的基本条件，只有过冷才能使固相自由能低于液相自由能，也只有过冷才可以使液相中的短程规则排列结晶成为晶胚。
A:对
B:错

物质从各种状态（气、液、固）结晶成晶体的过程称为结晶作用。
A:对
B:错

晶体生长界面是否稳定，不仅关系到晶体生长过程能否人为控制，还影响长成后晶体中的溶质分布。
A:对
B:错

晶体的形态只与晶体的结构有关。
A:对
B:错

助溶剂法不适合难熔、高熔点单质或化合物晶体的生长。
A:对
B:错