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西交《模拟电子技术》在线作业

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发表于 2020-8-8 19:06:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
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利用电抗元件的(   )特性可以实现滤波。
A:延时
B:储能
C:稳压
D:负阻

已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用(   )。
A:带阻滤波电路
B:带通滤波电路
C:低通滤波电路
D:有源滤波电路

差动电路对哪种信号无放大作用(   )。
A:共模
B:差模
C:直流
D:交流

通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的(   )。
A:输入电阻高
B:输出电阻低
C:共模抑制比大
D:电压放大倍数大

在(   )三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,输出特性曲线比较平坦,近似为水平的直线。
A:截止区
B:放大区
C:饱和区

在桥式整流电容滤波电路中,已知变压器副边电压有效值U2为10V,RC>=3T/2(T为电网电压的周期)。若电容虚焊,则测得输出电压平均值UO可能的数值为(  )
A:14V
B:12V
C:9V
D:4.5V

硅二极管完全导通后的管压降约为(    )
A:0.3
B:0.5
C:0.7

某电路有用信号频率为2 kHz, 可选用(  )。
A:低通滤波器
B:高通滤波器
C:带通滤波器
D:带阻滤波器

温度升高导致三极管参数发生(  )变化
A:ICBO,β,UBE都增大
B:ICBO,β,UBE都减小
C:ICBO,β增大,UBE减小
D:β,UBE增大,ICBO减小

<p>某放大电路中,三极管各电极对地的电位如题1.3图所示,由此可判断该三极管为(&nbsp;&nbsp; )。</p><p><img width="117" height="159" alt="" src="http://file.open.com.cn/ItemDB/32090/05443efe-51e5-4053-8fd1-cb83f89dda5f/201461010822357.jpg" /></p>
A:NPN硅管
B:NPN锗管
C:PNP硅管
D:PNP锗管

为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用(    )
A:共射放大电路
B:共集放大电路
C:共基放大电路

温度升高,晶体管输入特性曲线(    )
A:右移
B:左移
C:不变

欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入(   )。
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈

稳压管的稳压区是其工作在(    )
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿

三极管是一种(   )的半导体器件。
A:电压控制
B:电流控制
C:既是电压控制又是电流控制
D:功率控制

温度升高,晶体管输出特性曲线(    )
A:上移
B:下移
C:不变

杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为(   )。
A:N型半导体
B:P型半导体
C:电子型半导体

有一晶体管的极限参数:PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若工作电流IC=1mA,则工作电压UCE不得超过(    )V。
A:15
B:100
C:30
D:150

&nbsp;<img width="355" height="29" alt="" src="http://file.open.com.cn/ItemDB/32090/bba8b111-3000-4107-9253-ca93d3ea20bc/20152122620724.jpg" />
A:不变化
B:有一定变化
C:无法判断

&nbsp;<img width="501" height="76" alt="" src="http://file.open.com.cn/ItemDB/32090/55210496-929c-46b4-bfe2-d06594aa4e3e/20152122826150.jpg" />
A:A
B:B
C:C

交通信号灯采用的是(  )管。
A:发光二极管
B:光电二极管
C:变容二极管
D:整流二极管

要求提高放大电路的带负载能力,同时减小对信号源索取的电流,应引入(   )。
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈

直流稳压电源中滤波电路的目的是(    )
A:将交流变为直流
B:将高频变为低频
C:将交、直流混合量中的交流成分滤掉

由硅稳压二极管构成的稳压电路,其接法是        。
A:稳压二极管与负载电阻串联
B:稳压二极管与负载电阻并联
C:限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联

串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是(  )。
A:基准电压
B:采样电压
C:基准电压与采样电压之差
D:直流电压

功率放大电路的转换效率是指(     )
A:输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B:最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C:晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比

欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入(  )
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈

锗二极管的死区电压约为(    )
A:0.3
B:0.2
C:0.1

射极输出器是典型的(  )放大器
A:电压串联负反馈
B:电流串联负反馈
C:电压并联负反馈
D:电流并联负反馈

多级放大电路比单级放大电路的通频带(  )
A:宽
B:窄
C:一样
D:无法确定

因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(     )
A:错误
B:正确

如果输入信号的频率很低,最好采用阻容耦合放大器。(   )
A:错误
B:正确

漂移电流是反向电流,它由少数载流子形成,其大小与温度和外加电压有关。(  )
A:错误
B:正确

既能放大电流,又能放大电压的电路是共射放大电路。
A:对
B:错

多级放大电路的输入电阻等于增益最高的那一级电阻。(   )
A:错误
B:正确

振荡电路的平衡条件是AF=1,正反馈才能保证振荡电路的相位平衡条件。(   )
A:错误
B:正确

互补输出级应采用共集或共漏接法。(      )
A:错误
B:正确

差模信号是大小相等,极性相反的信号。(   )
A:错误
B:正确

本征半导体温度升高后,两种载流子浓度不再相等。(   )
A:错误
B:正确

两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为2β。
A:对
B:错

在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(      )
A:错误
B:正确

多级放大电路的输入电阻等于增益最高的那一级电阻。
A:对
B:错

若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。(   )
A:错误
B:正确

由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;(     )
A:错误
B:正确

半导体中的空穴带正电。(   )
A:错误
B:正确

鉴别反馈的类型时,可以用输入端短路法判别电压、电流反馈。(   )
A:错误
B:正确

只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。(     )
A:错误
B:正确

负反馈使放大电路增益下降,但提高了增益稳定性。(   )
A:错误
B:正确

三极管是电压控制元件,场效应管是电流控制元件。(   )
A:错误
B:正确

差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。(   )
A:错误
B:正确

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