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电子科技大学《模拟电路基础》20春期末考试

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发表于 2020-8-8 19:04:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
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功率放大电路中的转换效率是指(    )。
A:输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B:最大输出功率与电流提供的平均功率之比
C:晶体管所消耗的功率与电流提供的平均功率之比
D:输出功率与输入功率之比

为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入(  ) 。
A:电流负反馈
B:电压负反馈
C:直流负反馈
D:交流负反馈

锗材料二极管的 PN 结导通电压典型值为(        )。
A:0.5V
B:0.1V
C:0.3V
D:0.7V

在下面四种基本放大器组态中,电路(        )的小信号范围最小。
A:CE 放大器
B:CS 放大器
C:CE 差动放大器
D:CS 差动放大器

场效应管是一种(       )的器件。
A:电压控制电压
B:电压控制电流
C:电流控制电压
D:电流控制电流

当加在二极管上的电压增加10%时,流过二极管的电流( )。
A:增加 10 %
B:增加大于10 %
C:增加小于10 %
D:几乎不增加

有两个放大器 A1 和 A2 分别对同一电压信号进行放 大。当输出端开路时,A1和 A2的输出电压相同( |vo1| =  |vo2|);  接入相同的负载电阻后,|vo1|> |vo2|。由此可知 ,A1比A2 的(  )。
A:输出电阻大
B:输出电阻小
C:输入电阻大
D:输入电阻小

在下面四种电路中,中频段既有电压放大能力又有电流放大能力的反相放大器是(        )放大器。
A:共射
B:共基
C:共集
D:共集-共基

向放大器输入正弦电压。当输出是非正弦的周期电压时,该放大器一定产生了(        )。
A:频率失真
B:相位失真
C:削波失真
D:非线性失真

负反馈放大电路产生自激振荡的条件是(  )。
A:AF=0
B:AF=1
C:AF=∞
D:AF=-1

通用集成运算放大器内部电路不具有(        )的特点。
A:开环增益高
B:输入电阻大
C:深度负反馈
D:输出电阻小

在以下关于深负反馈的论述中,(        )是错误的。
A:深负反馈时,放大器增益与晶体管参数几乎无关
B:深负反馈时,放大器不易自激
C:深负反馈时,放大器中频段增益稳定性很高
D:深负反馈时,放大器的通频带展宽

功率放大器的效率是( )。
A:平均输出功率与平均输入功率之比
B:平均输出功率与晶体管平均消耗的功率比
C:最大不失真平均输出功率与电源提供的平均功率总功率之比
D:晶体管上平均消耗的功率与电源提供的平均功率总功率之比

13.        在下面关于放大器的四种说法中,只有(        )是肯定正确的。
A:放大器有功率放大功能
B:放大器有电压放大能力
C:放大器有电流放大能力
D:放大器的增益带宽积为常数

欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入(   )负反馈。
A:电压串联
B:电压并联
C:电流串联
D:电流并联

通用型集成运放的输入级多采用(  ) 。
A:共基接法
B:共集接法
C:共射接法
D:差分接法

PN 结两端反向偏压时,难以进行(        )。
A:少子扩散
B:少子漂移
C:多子扩散
D:多子漂移

基本放大器当输入信号频率升高时,放大倍数会减小,其主要原因是(        )。
A:输入电阻减小
B:输出电阻减小
C:晶体管内存在极间电容
D:耦合和旁路电容的影响

BJT 管组成的放大电路产生的非线性是指(        )。
A:半导体器件的非线性所致,其输出波形中含有新的频率成分
B:截止失真、饱和失真、过流失真
C:截止失真、饱和失真、过流失真、交越失真
D:截止失真、饱和失真、交越失真

在下述关于射极输出器特点的论述中,( )是错误的。
A:射极输出器带负载能力较强;
B:射极输出器的输入电阻较大;
C:射极输出器输入动态范围较小;
D:以 CE 放大器作基本放大器,则射极输出器是负反馈放大器。

晶体特性曲线不能用来(        )。
A:判断管子的质量
B:估算晶体管的一些参数
C:分析放大器的频率特性
D:图解分析放大器的指标

反馈放大电路的含义是(     )。
A:输出与输入之间有信号通路
B:电路中存在反向传输的信号通路
C:除放大电路以外还有信号通路
D:电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路

某放大电路负载开路时输出电压为 6V,连接 2Ω 负载电阻后测得输出电压为 4V,由此判定放大电路的输出电阻为(        )。
A:1.5Ω
B:1Ω
C:0.5 Ω?
D:0.25 Ω

用于电路稳压的稳压二极管工作在(        )状态。
A:反向截止
B:正向导通
C:死区
D:反向击穿

三极管的击穿电流 ICEO 是(        )。
A:基极开路时的集电极电流
B:发射极开路时的集电极电流
C:基极短路时的集电极电流
D:发射极短路时的集电极电流

为了抑制直流放大器的温漂输出,应该采用( )。
A:交流负反馈
B:交流正反馈
C:直流正反馈
D:直流负反馈

当PN结加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层(   ) 。
A:变宽
B:变窄
C:不变
D:不确定

集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以(  )。
A:减小温漂
B:增大放大倍数
C:提高输入电路
D:减小噪声

某只工作在放大状态的三极管,测得其三个管脚对地的电位分别是 6V、5.3V、1V 。由此判定出该管是(        )。
A:NPN 锗管
B:PNP 锗管
C:NPN 硅管
D:PNP 硅管

欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入(    )负反馈。
A:电压串联
B:电压并联
C:电流串联
D:电流并联

集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。              (         )
A:对
B:错

凡是集成运算放大器构成的电路,都可以“虚短”和“虚断”概念加以分析。(   )
A:对
B:错

差动放大电路依靠电路的对称性以及共模负反馈来抑制零点漂移。(        )
A:对
B:错

共发射极放大电路由于输出电压与输入电压反相,输入电阻不是很大而且输出电阻又较大,估很少应用。(   )
A:对
B:错

利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。    (         )
A:对
B:错

运算放大器的反相输入端称为虚地。(        )
A:对
B:错

OCL电路中输入信号越大,交越失真也越大。(   )
A:对
B:错

因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(   )
A:对
B:错

产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。      (         )
A:对
B:错

在集成运放的各种应用电路中,同相端和反相端的电压总是很接近。(        )
A:对
B:错

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