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模拟电子技术19春在线作业1-0003

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发表于 2020-8-8 19:01:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
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稳压二极管构成的稳压电路,其接法是 ()
A:稳压管与负载电阻串联
B:稳压管与负载电阻并联
C:限流电阻与稳压管串联后,负载电阻再与稳压管串联
D:限流电阻与稳压管串联后,负载电阻再与稳压管并联

一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈,则()。
A:一定会产生高频自激
B:可能产生高频自激馈
C:一般不会产生高频自激
D:一定不会产生高频自激

放大器的输入电阻高,表明其放大微弱信号能力()
A:强
B:弱
C:一般

通用型集成运放的输入级多采用()
A:共基接法
B:共集接法
C:共射接法
D:差分接法

输入失调电压UIO 是()
A:两个输入端电压之差
B:输入端都为零时的输出电压
C:输出端为零时输入端的等效补偿电压。

功率放大电路的转换效率是指()
A:输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B:最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C:晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比

对于基本共射放大电路的特点,其错误的结论是()
A:输出电压与输入电压相位相同
B:输入电阻,输出电阻适中
C:电压放大倍数大于 1
D:电流放大倍数大于 1

正弦波振荡器的振荡频率由()而定
A:基本放大器
B:反馈网络
C:选频网络

在=1mV时,将Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大输入电压,则输出电压波形将()
A:顶部失真
B:底部失真
C:为正弦波
D:为余弦波

正弦波振荡电路的基本组成包括()
A:基本放大器和正反馈网络
B:基本放大器和选频网络
C:基本放大器和负反馈网络
D:基本放大器、正反馈网络和选频网络

振荡电路的平衡条件是(),()反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件
A:AF=1
B:正
C:负
D:AF=2

当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()
A:U-=U+
B:I-=I+=0
C:Uo=Ui
D:Au=1

对功率放大器的主要要求有() ()()
A:Uo高
B:Po大
C:效率高
D:Ri大
E:波形不失真

直流电源由()部分组成
A:直流电源由整流
B:滤波
C:稳压三部分组成
D:放大电路

在整流电路的输入电压相等的情况下,半波、全波、桥式三种整流电路中,输出电压平均值最低的是()整流电路,二极管承受反向电压最高的是() 整流电路。
A:半波
B:全波
C:比例

桥式整流电路在接入电容滤波后,二极管的导电角()
A:增大了
B:减少了
C:保持不变
D:任意角

差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE,可以使电路的()电压放大倍数降低,() 提高。
A:共模
B:共模抑制比
C:放大
D:供模增加比

两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为()dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为()dB
A:20
B:25
C:46
D:48

如希望减小放大电路从信号源索取的电流,则可采用();信号源内阻很大,希望取得较强的反馈作用,则宜采用();如希望负载变化时输出电压稳定,则应引入()。
A:电压负反馈
B:电流负反馈
C:串联负反馈
D:并联负反馈

模拟集成电路大多数采用直接耦合是因为(),集成电路制造工艺使它制造出来的晶体管、电阻等元器件参数误差大,但误差的()好。
A:不易制作大电容量的电容
B:一致性
C:规范性

为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用共集放大电路
A:错误
B:正确

微变(小信号)等效电路法只适用于输入为微弱信号的情况
A:错误
B:正确

RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和反相比例运算电路
A:错误
B:正确

电源滤波中用的电容一般都是电解电容,使用时应将电容的正极接高电位,负极接低电位。
A:错误
B:正确

电容滤波电路适用于小负载电流,而电感滤波电路适用于大负载电流
A:错误
B:正确

增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式
A:错误
B:正确

静态工作点是静态时,在晶体管的输入特性和输出特性上所对应的工作点,用Q表示。
A:错误
B:正确

为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用阻止滤波电路
A:错误
B:正确

耗尽型MOS管不能采用自偏压方式
A:错误
B:正确

同相求和电路跟同相比例电路一样,各输入信号的电流几乎等于零。
A:错误
B:正确

选用差分放大电路的原因是电源电压不稳定
A:错误
B:正确

整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压
A:错误
B:正确

欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用积分运算电路
A:错误
B:正确

某电路有用信号频率为2kHz, 可选用带阻滤波器
A:错误
B:正确

UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有结型管
A:错误
B:正确

增强型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管,在其栅压为零时漏极电流为零,即没有导电沟道。依靠外加栅压的正向增加,形成感生沟道,使漏极电流逐渐增加。这种导电沟道从无到有的过程称为增强
A:错误
B:正确

结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路,即自偏压方式和分压式自偏压电路
A:错误
B:正确

结型场效应晶体管通常采用两种偏置方式,即自偏压式和栅极分压式
A:错误
B:正确

阻容耦合放大电路的下限频率受耦合电容和旁路电容影响,其中耦合电容的影响更大些
A:错误
B:正确

结型场效应管利用删源极间所加的正偏电压来改变导电沟道的电阻
A:错误
B:正确

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